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第一章 单元测试
1、判断题：
相对于数字电路来说，模拟集成电路的设计更加基础，更加灵活。
A:对
B:错
答案: 对
2、判断题：
MOSFET的特征尺寸越来越小，本征速度越来越快（已可与双极器件相比较），现在几GHz～几十GHz的CMOS模拟集成电路已经可批量生产。
A:对
B:错
答案: 对
3、判断题：
CMOS电路已成为当今SOC设计的主流制造技术。
A:对
B:错
答案: 对
4、判断题：
模拟设计涉及到在速度、功耗、增益、精度、电源电压等多种因素间进行折衷
A:对
B:错
答案: 对
5、判断题：
模拟电路许多效应的建模和仿真仍然存在问题，模拟设计需要设计者利用经验和直觉来分析仿真结果
A:对
B:错
答案: 对
6、判断题：
跟数字集成电路设计一样，目前高性能模拟集成电路的设计已经能自动完成。
A:对
B:错
答案: 错
第二章 单元测试
1、判断题：
MOS器件的源端和漏端不可以共用，不可以互换。
A:对
B:错
答案: 错
2、单选题：
下列关于MOS版图说法不正确的是（）
A:栅接触孔为什么开在沟道区外
B:版图中沟道长度L的最小值由工艺决定
C:源结和漏结的一个尺寸等于W，另外一个尺寸要满足接触孔的需要，并且要满足设计规则
D:版图中栅极的接触孔可以开在沟道区
答案: 版图中栅极的接触孔可以开在沟道区
3、单选题：
下列说法正确的是（）
A:MOSFET是四端器件
B:MOS管正常工作的基本条件是: 所有衬源（B、S）、衬漏（B、D）PN结必须反偏（或者零偏）！
C:阱中MOSFET衬底常接源极S
D:N阱接最低电位
答案: N阱接最低电位
4、单选题：
下列关于阈值电压的说法，不正确的是（）
A:NFET的阈值电压定义为当界面的电子浓度等于p型衬底的多子浓度时的栅压VGS
B:在器件制造过程中，可通过向沟道区注入杂质来调整阈值电压
C:当VGS>VTH时，NMOS器件导通
D:若VTH=0，则 NMOS器件关断
答案: 若VTH=0，则 NMOS器件关断
5、多选题：
下列说法正确的是（）
A:VGSVTH时，NMOS器件工作在截止区
B:VGS ≥VTH，VDS≤ VGS – VTH时，NMOS器件工作在线性区
C:VGS ≥ VTH，VDS ≥ VGS – VTH时，NMOS器件工作在饱和区
D:VGS=0时，NMOS器件不工作
答案: VGSVTH时，NMOS器件工作在截止区;VGS ≥VTH，VDS≤ VGS – VTH时，NMOS器件工作在线性区;VGS ≥ VTH，VDS ≥ VGS – VTH时，NMOS器件工作在饱和区
6、多选题：
下列对器件尺寸参数描述正确的有（）
A:L是器件的沟道长度，W是器件的宽度
B:tox是器件栅氧化层的厚度，由工艺决定
C:一般所说的90nm工艺，其中的90nm是指器件的最小沟道长度L
D:一般所说的90nm工艺，其中的90nm是指器件的栅氧化层的厚度tox
答案: L是器件的沟道长度，W是器件的宽度;tox是器件栅氧化层的厚度，由工艺决定;一般所说的90nm工艺，其中的90nm是指器件的最小沟道长度L
7、判断题：
如果一个电路的最高电压是VDD，最低电压是VSS，那么NMOS器件的衬底应该接VDD。
A:对
B:错
答案: 错
8、判断题：
一般MOS器件的源漏是对称的，这告诉我们要根据实际集成电路的情况来判断电路的源极和漏极。
A:对
B:错
答案: 对
9、多选题：
下列关于体效应的说法，正确的是（）
A:改变衬底电势Vsub可能会产生体效应。
B:不改变衬底电势Vsub也可能会产生体效应。
C:源电压相对于Vsub发生改变，使得源衬电势差VSB不为0，就会产生体效应。
D:体效应导致设计参数复杂，模拟集成电路设计往往不希望其存在，但也有利用体效应的电路。
答案: 改变衬底电势Vsub可能会产生体效应。;不改变衬底电势Vsub也可能会产生体效应。;源电压相对于Vsub发生改变，使得源衬电势差VSB不为0，就会产生体效应。;体效应导致设计参数复杂，模拟集成电路设计往往不希望其存在，但也有利用体效应的电路。
10、多选题：
下列关于沟道长度调制效应说法正确的是（）
A:器件的导电沟道越长，沟道调制效应系数越小。
B:器件的沟道调制效应系数由工艺决定。
C:器件的导电沟道越短，沟道调制效应系数越小。
D:沟道调制效应说明饱和区器件的电流会受到漏源电压的影响。
答案: 器件的导电沟道越长，沟道调制效应系数越小。;器件的沟道调制效应系数由工艺决定。;沟道调制效应说明饱和区器件的电流会受到漏源电压的影响。
11、多选题：
下列关于亚阈值导电特性的说法正确的是（）
A:亚阈值区的跨导比饱和区（强反型区）跨导大，有利于实现大的放大倍数
B:MOS管亚阈值电流ID一般为几十~几百nA, 常用于低功耗放大器、带隙基准设计
C:MOS管VGS由0增大到大于阈值电压VTH，经历截止—弱反型—强反型，这是一个渐进的过程，故当VGSTH时，仍有IDS存在
D:当VGSTH时，漏极电流ID以有限速度下降，导致功率损耗或模拟信息的丢失
答案: 亚阈值区的跨导比饱和区（强反型区）跨导大，有利于实现大的放大倍数;MOS管亚阈值电流ID一般为几十~几百nA, 常用于低功耗放大器、带隙基准设计;MOS管VGS由0增大到大于阈值电压VTH，经历截止—弱反型—强反型，这是一个渐进的过程，故当VGSTH时，仍有IDS存在;当VGSTH时，漏极电流ID以有限速度下降，导致功率损耗或模拟信息的丢失
12、多选题：
下列关于MOS模型的说法正确的有（）
A:MOS器件的大信号模型一般由I/V特性关系式，各寄生电容计算式等推导建立
B:当信号相对直流偏置工作点而言较小且不会显著影响直流工作点时，可用小信号模型简化计算
C:MOS器件的低频小信号模型，主要考虑了跨导，体效应以及沟道调制效应等参数
D:MOS器件的高频小信号模型，除考虑跨导，体效应以及沟道调制效应等参数，还需要考虑各个寄生电容和寄生电阻的影响
答案: MOS器件的大信号模型一般由I/V特性关系式，各寄生电容计算式等推导建立;当信号相对直流偏置工作点而言较小且不会显著影响直流工作点时，可用小信号模型简化计算;MOS器件的低频小信号模型，主要考虑了跨导，体效应以及沟道调制效应等参数;MOS器件的高频小信号模型，除考虑跨导，体效应以及沟道调制效应等参数，还需要考虑各个寄生电容和寄生电阻的影响
13、单选题：
判断制造下列电路的衬底类型
A:N型衬底
B:P型衬底
答案: N型衬底
14、单选题：
判断器件为NMOS器件还是PMOS器件？
A:NMOS
B:PMOS
C:什么都不是
答案: PMOS
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