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标签:带隙基准设计;MOS管VGS由增大到大于阈值电压VTH,经历截止—弱反型—强反型,这是一个渐进的过程,故当VGSTH时,仍有IDS存在;当VGSTH时,漏极电流ID以有限速度下降,导致功率损耗或模拟信息的丢失
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芯片基础–模拟集成电路设计 2021智慧树满分答案
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